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《中国有色金属报》头版报道中硅高科电子信息产业崛起之路
来源:中国恩菲 作者:中国有色 发布时间:2019年12月02日 访问量:
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  《中国有色金属报》11月30日头版刊发题为《助国之利器创造新辉煌——记中硅高科硅基材料自强研发之路》文章,报道中国恩菲子公司洛阳中硅高科技有限公司电子信息产业崛起之路(https://paper.cnmn.com.cn/Content.aspx?id=153727&q=4336&v=4)。

  15年前,当光伏原材料技术被国外牢牢控制的时候,中国恩菲工程技术有限公司及子公司洛阳中硅高科技有限公司用十年磨一剑的报国之心,成功研发具有自主知识产权的低成本、低能耗、大规模多晶硅材料制备技术,让光伏新能源技术推广应用走下国外垄断所设置的“神坛”。率先实现光伏太阳能多晶硅国产化以后,中硅高科持续技术创新,承担了20多项国家重点科研项目以及200多项省市科研项目,技术水平、成本能耗水平均走在了世界先进行列,产能位居世界前十。

  15年后的今天,面对我国电子信息产业、光纤通信行业原料、技术受制于人的不利局面,恩菲人、中硅人又聚力高端,潜心研究国家紧缺的芯片用电子级多晶硅料和电子特种气体以及光纤通信行业的原材料,通过技术创新、装备升级实现高效循环、产品多元。目前,中硅高科已经拥有专利200余项,并获得了国家专利金奖。在芯片这条庞大的产业链上,中硅研发的成果,从全面国产化的“巨大工程”体量上看,或许还只是星火之势,但正是这一个个高纯产品的自主国产,让世人看到整个芯片产业链完全国产化的希望之光就在眼前。

  通过自主开发,中硅高科开展了电子级多晶硅动态循环梯级分离提纯技术研究,承担了电子级高纯多晶硅项目和区熔用高纯多晶硅项目,突破了高效三氯氢硅精馏技术、尾气干法回收和超纯氢气纯化技术、高纯多晶硅还原技术、产品高纯后处理技术与检测方法、杂质含量工程化控制技术等关键技术,目前电子级多晶硅产品质量可达到11N以上,解决电子工业基础领域的关键材料基础薄弱的问题,为高阻区熔硅单晶产业集聚发展提供基础支撑;陆续解决了光通讯行业用高纯四氯化硅提纯、检测、充装及储存等技术难题,产品的顺利生产与销售,成功打破了国外近20年的垄断,该产品也成为自主研发生产的电子气产品正硅酸乙酯的重要原材料;在集成电路用电子特气研究方面,成功从多晶硅共生产物中分离和精制出电子级六氯乙硅烷,该产品作为前驱体广泛应用在先进的12英寸集成电路芯片薄膜生长工艺上,产品附加值极高,目前中硅已成为国内六氯乙硅烷合格供应商。另外,电子级三氯氢硅的研发并投产成功,填补了国内空白,替代进口,实现供应国产化;在研发集成电路产业用硅基电子气体的同时,还进行了配套的全自动充装技术、系统、检测技术的研发工作。目前已经成功研发了高纯全自动充装技术与系统;在品质方面,为了保证产品检测数据更加真实有效和产品质量的准确性,成功研发了集成电路产业用硅基电子特气的密闭取样技术与装置,工艺过程SPC控制,保证产品质量稳定性;在标准化方面,以规范国内硅基电子特气行业标准的初心和情怀,积极起草和参与起草电子特气、光纤相关产品标准、测试方法标准和产品充装规范,增加行业影响力。

  勇攀高峰,不是为了让世界看见,而是为了看见世界。以更广更宽的视野,做更大更强的事业,不辜负时代赋予的使命,这也是中硅高科坚守的硅业报国的梦想。路漫漫其修远兮,国“芯”在上下求索奋起直追的道路上,一个个像恩菲人、中硅人这样有家国情怀的实干者,一个个面对国之重任为梦想拼尽全力的逐梦人,他们,不忘初心、砥砺前行,终将创造行业的辉煌!


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